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1987年12月8日，时任苏联总统戈尔巴乔夫和美国总统里根在华盛顿签署《中导条约》，1988年6月1日正式生效。《中导条约》是美、苏/俄裁军史上第一个裁减核军备的条约，被称为“冷战时期最成功的军控文件”。《中导条约》共17条，约3万余字，主要内容可概括为：在条约生效后3年内，销毁射程为500~5500公里的陆基弹道导弹和陆基巡航导弹及地面发射装置、相关的支援设施和设备，并且在规定的时限内销毁后不能再试验、生产和部署此类导弹。《中导条约》还规定，在条约生效后13年期间内，缔约双方均可进行核查。条约生效后头 3年期间，每年进行20次核查；其后5年期间，每年进行15次核查；在最后5年期间，每年进行10次核查。

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也就是说，若按格芯的数据标准来计算，用FD-SOI工艺制造的22nm芯片，其性能和功耗数据与用FinFET工艺制造的16nm或14nm芯片不相上下。但这一工艺的应用也存在难点，FD-SOI的基片价格较为昂贵，纵观当下半导体制造业，FinFET工艺在先进制程设计中仍是主流。

3、工艺性能：三星芯片功耗稍逊一成实际上，三星的5nm LPE工艺沿用了7nm LPP（Low Power Plus）工艺的晶体管和SRAM，性能相比7nm增强了10%，逻辑效率提升25％，功耗也将降低20％。另一方面，台积电总裁魏哲家曾表示，与自身的7nm工艺相比，其5nm晶体管密度将有80%的提升，运算速率也将提升20%，功耗则降低30%。